大家好,小问来为大家解答以上问题。内存时序高好还是低好，内存时序这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、FSB：DRAM 是CPU外频与内存单向运行频率的比值内存时序是一种参数，一般存储在内存条的SPD上。

2、2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。

3、RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

4、Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。

5、Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

6、这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

以上就是【内存时序高好还是低好，内存时序】相关内容。